ddr

双倍数据速率

DDR=Double Data Rate双倍速率,DDR SDRAM=双倍速率同步动态随机存储器，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

简介

双倍数据率同步动态随机存取存储器（英语：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，简称DDR SDRAM）为具有双倍数据传输率的SDRAM，其数据传输速度为系统时钟频率的两倍，由于速度增加，其传输性能优于传统的SDRAM。

DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。

JEDEC为DDR存储器设立速度规范，并分为以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。

规格

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟上升期进行数据传输；而DDR则是一个时钟周期内可传输两次数据，也就是在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。

芯片和模块

注意：上面列出的数据都是由JEDEC JESD79F指定。所有RAM的上市规格的数据率不一定是JEDEC规范，往往是制造商自行最优化，使用更严格的公差或overvolted芯片。

DDR SDRAM 之间有很大的设计上的差异，设计不同的时钟频率，例如，PC-1600被设计运行在100 MHz，至于PC-2100被设计运行在133 MHz。

DDR SDRAM 的模块用于台式机，被称为DIMMs，有184只引脚（而不是168针SDRAM，或240针脚的DDR2 SDRAM），并可以从不同notches数目来辨别（DDR SDRAM，有一个，SDRAM，SDRAM DIMMs的有两个）。笔记本计算机上的DDR SDRAM 的SO-DIMMs有200只引脚，引脚相同数量的DDR2的SO-DIMMs。这两种规格的缺口也非常相似，如果不能确定正确的匹配，必须小心插入。

记忆芯片

芯片模块

为了要增加内存的容量和带宽，芯片会利用模块结合。例如，有关 DIMMs 的64位bus需要8个 8位的芯片并发处理。与常见的地址线（address lines）的多个芯片被称为memory rank。这个术语被引入，是要避免与芯片内部row和bank的混乱。

高密度比低密度

PC3200是使用带宽 3200 MB / s的DDR - 400芯片设计，在200 MHz的DDR SDRAM 由于 PC3200内存的上升和下降时钟边沿的数据传输，其有效的时钟速率为 400 MHz。

替换

（DDR1）已被DDR2 SDRAM取代，其中有一些修改，以允许更高的时钟频率。与DDR2的竞争是Rambus 公司的XDR DRAM 。DDR3 SDRAM是一个新的标准，提供更高的性能和新功能。

DDR 预取缓冲器（prefetch buffer）深度为2比特，而DDR2采用4位。虽然DDR2的时钟速率高于DDR，但整体性能并没有提升，主要是由于DDR2高延迟（high latency）。直到2004年DDR2才有明显的提升。

MDDR

MDDR是Mobile DDR的缩写，在一些行动电子设备中使用，像是使用移动电话、手持设备、数字音频播放器等。通过包括降低电源电压和先进的刷新选项（advanced refresh options）技术，MDDR可以实现更高的电源效率。

公式

利用下列公式，就可以计算出DDR SDRAM时钟频率。