共栅极

电子学术语

电子学中，共栅极（common-gate）是单级场效应管（field-effect transistor (FET)）放大器电路的三种基本接法之一（另外两种分别是共源极和共漏极）。共栅极电路通常被用在电流缓冲器或电压放大器中。这种接法的形式是，晶体管的源极充当输入端，漏极充当输出端，栅极则为公共端，电路也因此得名。在双极性晶体管中，类似的概念称作共基极。

简介

场效应管和晶体三极管一样，也可以构成三种基本组态：共源、共栅、共漏放大器。共栅放大电路与晶体三极管共基放大电路相对应，栅极是输入回路和输出回路的公共端，故称为共栅放大电路。共栅放大电路的特点是电压放大倍数大，输入输出电压同相，输入电阻小，输入电容小，输出电阻大。

放大电路

半导体晶体三极管都具有放大电子信号的功能。只要使它们工作在放大区，即构成电子放大器。其中，晶体三极管能构成 “共发射极放大电路”、“共集电极放大电路” 和 “共基极放大电路”。场效应三极管能构成“共源极放大电路”、“共漏极放大电路” 和 “共栅极放大电路”。所说“共”，即晶体三极管的某一极为输入、输出回路公有。以该公有点为一极，构成晶体三极管的输入/输出工作回路。单级放大电路的放大能力有限。为了增强放大功能放大器是由多级组成的，其级间是以耦合的方式连接的。耦合的方式分为直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。所说耦合是上、下级电路的技术参数相互匹配，损耗最小，效果最好，级间的干扰最少。

场效应晶体管

场效应晶体管（Field Effect Transistor）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管具有噪声低、热稳定性好及抗辐射能力强等优点，其应用越来越广泛。

共源极与共漏极

在电子学中，共源极（common-source）放大器是场效应管（field-effect transistor (FET)）放大器电路的三种基本组成方式之一（另外两种为共栅极和共漏极），通常被用在电压或跨导放大器中。辨识一个场效应管放大器电路是共源极、共栅极还是共漏极的简易方法为，检查信号输入和输出的通路，剩余的那一端即为“公共端”。在例子中，信号从栅极进入，从漏极离开。剩余的一端为源极，因此它是共源极。在双极性晶体管中，类似的概念称作共射极。

在电子学中，共漏极（common-drain）放大器电路，是场效应管（field effect transistor (FET)）三种基本接法之一（另外两种分别是共源极和共栅极），常被用作电压跟随器。这种电路的栅极被用作输入端，源极充当输出端，而漏极作为公共端，电路因此得名。在双极性晶体管中，类似的概念称作共集极。

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