叶志镇

中国科学院院士、宽禁带半导体光电薄膜材料专家

叶志镇，1955年4月7日出生于浙江温州苍南，宽禁带半导体光电薄膜材料专家，中国科学院院士，浙江大学温州研究院院长，浙江大学材料科学与工程学院教授，学院学术委员会主任，博士生导师。

人物经历

1955年4月7日，叶志镇出生于浙江温州苍南。

1977年，作为恢复高考后的第一批大学生，考入浙江大学电机系。

1982年1月，从浙江大学电机系毕业，获得学士学位。

1984年4月，加入中国共产党；10月，从浙江大学光仪系光电技术专业毕业，获得硕士学位。

1987年12月，从浙江大学光仪系光学仪器专业毕业，获得博士学位。

1988年1月，进入浙江大学材料系硅材料国家重点实验室工作。

1988年—1990年，在浙江大学校长“政策研究室”兼职。

1990年9月—1992年3月，在美国麻省理工学院电机系做访问学者。

1992年3月，回国后继续在浙江大学工作；同年，出任硅材料国家重点实验室副主任和党支部书记。

1994年，晋升为浙江大学教授。

1995年，入选浙江省首批“中青年学术带头人”。

1996年，入选教育部“跨世纪优秀人才”。

1997年—2009年，担任硅材料国家重点实验室主任。

1997年，入选国家“百千万人才工程”第一层次。

1999年—2009年，担任浙江大学材料与化工学院副院长。

2002年，组建了浙江大学纳米科技中心。

2006年，入选被聘为浙大首批求是特聘教授。

2008年，被评为浙江省特级专家。

2009年—2013年，担任浙江大学材料科学与工程学系主任。

2014年—2018年，担任浙江大学首届教代会教师发展委员会主任。

2014年，担任浙江大学材料科学与工程学院学术委员会主任。

2019年11月，当选为中国科学院院士。

2023年4月15日，受聘为龙门实验室首席科学家。

2023年10月，担任温州市新材料产业协会名誉会长、首席科学家。

现任浙江大学温州研究院院长。

主要成就

科研成就

叶志镇开辟浙江大学半导体薄膜研究方向，首创超高真空CVD技术并在全国推广应用；1986年开创中国国内半导体ZnO薄膜掺杂研究先河，建立了p型二元共掺原理与技术，国际首次由MOCVD法制成ZnO-LED原型器件并实现室温电致发光；发展了n型氧化锌高导电掺杂技术，突破无铟透明导电薄膜难题，实现了产业应用。此外，在低维ZnO材料可控制备，紫外探测、传感器件以及新型ZnO薄膜晶体管等方面也作出创新工作。

根据2021年10月浙江大学网站显示，叶志镇先后发表学术论文600余篇，SCI他引13000余次（H=63）；连续6年入选Elsevier“中国高被引学者”。

根据2021年10月浙江大学网站显示，叶志镇先后承担了国家“973”课题、国家自然基金重点等项目。

根据2021年10月浙江大学网站显示，叶志镇先后获得科技奖10余项，其中国家自然科学二等奖1项、省部科技一等奖4项；授权发明专利100余件。

人才培养

叶志镇在浙江大学讲授《薄膜材料技术与物理（本科生）》《能量转换材料（本科生）》《材料工艺学（本科生）》《半导体薄膜物理与技术（硕士生）》等课程。

2008年、2010年叶志镇获得中国百篇优秀博士论文提名奖指导教师，2013年评为浙江省师德先进个人；2014年评为全国优秀教师，获浙江省高校教学成果一等奖。

荣誉表彰

社会任职

人物评价

叶志镇是国际光电氧化锌领域的主要学术带头人，为中国无机光电材料发展作出了突出贡献。（浙江大学评）

叶志镇性格开朗，口才极佳，人缘也好。（苍南新闻网评）

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