大脑沟

大脑回之间深浅不一的沟裂

大脑皮质在大脑表面形成众多皱褶，大的皱褶为脑沟，沟底的皮质较薄。是划分脑回和大脑分叶的重要标志。

发生过程：

孕13周边缘带在某些部位增厚，渐成疣状陷入皮质板，在脑表面尚不见脑沟回。由于大脑实质体积增加的速度快于颅骨发育的速度，孕16周时，各脑区有较多沟回显现，以往文献报道大脑主要沟回的发生在孕20~35周。按出现先后顺序及分支情况可将脑沟分为2级：1级沟回是脑表面的主要沟回，最初1级沟回仅是其周围脑实质的稍微凹陷，形成的脑沟较圆顿；而后脑沟逐渐变深，其周围脑实质慢慢形成一定角度；同时任何脑沟两侧的脑实质间距逐渐减小。1级沟回的出现几乎与胎儿大脑的发育同步；2级沟回是1级沟回的分支，首先呈一条直线，慢慢呈“V”字形后与1级沟回连接。脑沟回的发育在1岁达成人相似的水平。大脑体积增加及脑表面沟回形态变化可导致其他结构的形态改变，如侧脑室形状的改变和蛛网膜下间隙的减少。

分类：

外侧沟：

也称为外侧裂或塞维斯氏（Svlvius）裂，是半球最深、最明显的沟裂。位于半球外侧面的中部，从颞极前方的大脑侧谷开始，向后外上方不远处，分为短的前水平支、升支和长的后支。大脑外侧沟的位置与蝶骨小翼后缘的方向一致，其分支点与颅骨表面的翼点一致。前水平支自此点水平前进，约前进10毫米转入额下回；升支自此点垂直向上伸入额下回，约10毫米；后支是外侧沟的延续，向后上方终于顶叶的缘上回。在大脑外侧沟的深部，埋藏有三角形的脑岛。将额叶、顶叶和颞叶覆盖着脑岛的部分总称为岛盖（operculum）。

顶枕沟：

又称顶枕裂（parietooccipitalfissure），位于半球的内侧面，楔叶的前方，是顶叶和枕叶在内侧面的分界。顶枕沟的上端在背内侧缘，始自枕极和中央沟上端间的中点，并绕过背内侧缘，长约10毫米。起始后沿内侧面向前下方，在距状沟前、中1/3交界处，与距状沟会合。如果二沟分离时，其间常有一过渡回。

扣带沟：

位于半球的内侧面，与胼胝体沟平行，在扣带回上方。扣带沟始于胼胝体嘴的下方，并与胼胝体嘴的方向一致，向前向上，绕过胼胝体膝，继续沿胼胝体上方向后进，然后转回上方，最后在中央沟上端的稍后方，到达背内侧缘，特称此段为缘支。在缘支前方，由扣带沟发出一短升支，称此短升支为旁中央沟（para-centralsulcus）。

距状沟：

也称距状裂（cal-carinefissure），位于半球内侧面的后部，自颞叶中部水平地伸向枕极的弓形深沟，此沟两岸的皮质是初级视觉中枢。距状沟常以二支始于枕极，首先向前上方再转向前下方，终止于胼胝体压部的下方，借其与顶枕沟的连接点，把距状沟分为前后两段：即前距状沟和后距状沟。前距状沟在侧脑室后角的内侧壁，形成的隆起称为禽距。

中央沟：

中央沟（centralsulcus）自半球上内侧缘中点稍后沿外侧面斜向下前，至外侧裂上方。

Retzius见此沟上端有16%达上内侧缘，20%不达上内侧缘，以中部的沟底最深，其内可见连续回，下端几乎不到外侧裂，而由中央前、后回的融合带所封闭；该带呈弓桥状，向上弯曲，称中央下回（subcentralgyrus）。经观察中央沟上端起于半球内侧面、上内侧缘及外侧面者各占1/3；下端不到外侧裂者，占85%～86%；打开中央沟前后壁，见沟壁上有壁间回者，占83%～91%；沟底有连接回者，占10%～11%。研究者认为，中央沟几乎均左右对称，典型者上、下端封闭，即上端的旁中央小叶与中央前、后回结合在一起，下端存在中央下回。中央沟通常不间断，但在1%～8%病例中，中间可被深在的横向回中断。从正中矢状面观，中央沟位于冠状缝后方50（36～55）mm处。可将中央沟直观地看作峡深裂隙，但并非平直，有二处弯曲，上曲位于中上1/3交界处，凸向后方；下曲位于中下1/3交界处，凸向前方。它属于界限型脑沟，沟壁亦为皮质结构，参与躯体感觉运动。

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