微电子学与固体电子学专业
电子科学与技术所属的二级学科
微电子学与固体电子学专业是电子科学与技术所属的二级学科。
学科介绍
微电子学与固体电子学是一门新兴的高科技学科，微电子产业是与国民经济发展、人民生活水平提高、巩固国防密切相关的重要产业，是衡量一个国家综合国力的重要标志。近几年来，中国正在大力发展微电子技术，正在上海浦东建设微电子产业基地，大量需要包括集成电路设计、工艺技术、产品开发、应用、测试、封装等各个层次的微电子专业人才。可以预计，几年内微电子毕业生将远远满足不了需要。
研究内容
微电子学与固态电子学是现代信息技术的内核与支柱。本学科主要研究内容：
1、信息光电子学和光通讯。
2、超高速微电子学和高速通讯技术。
4、半导体器件可靠性物理。
5、现代集成模块与系统集成技术。
研究方向
信息光电子学和光通讯
研究内容：具有全新物理思想和创新性器件结构的高效半导体激光器、高效高亮度发光管和新型中远红外探测器，研究光通讯、光电信号、图象处理，研究光电探测、控制等激光、发光、红外光电子信息技术和应用系统。本方向有项目博士后流动站。
超高速微电子学和高速通信技术
本方向主要研究具有全新物理思想和结构的异质结超高频（高速）器件及超高频（高速）电路，特别是超高频低噪声SiGe/SiHBT、IC和光通讯、移动通讯、高速计算相关的电路和通讯应用系统，具有极重要科学价值和极广阔的应用前景。
本方向包括两方面研究内容：电力电子器件与灵巧功率集成电路研究以及微波功率半导体器件与微波集成电路研究。分别简介如下：电力电子器件与灵巧功率集成电路研究的根本用途是进行电能的变换与控制，它的应用已渗透到通讯、机电一体化等各个领域。本室在从事处于国际前沿地位的研究工作，提出了不少具有国际创新思想的新的器件结构和工作原理，如：新结构的超高速双极功率开关管、新结构超低损耗IGBT、新结构高速集成电路等。微波功率半导体器件与微波集成电路研究是微波通讯、雷达、各种军事电子对抗等微波设备与系统的心脏。本研究室正在从事着具有国际创新结构的新器件及集成电路的研究。
半导体器件可靠性
本方向从事微电子器件可靠性物理的研究（各种类型的分立半导体器件、集成电路和模块）。可靠性被列为四大共性技术之一，是目前国际上最为活跃的研究和发展的一个领域。目前的研究方向主要包括四个方向：VLSI/ULSI互连技术及可靠性的研究：随着电路的高密度化、高速化，互连技术已成为VLSI/ULSI继续向前发展的一个瓶颈。本研究室在此领域处于国际前沿的研究工作。高速微电子器件及MMIC的可靠性研究：主要研究GaAs基和Si/SiGeHBT高速器件、MMIC的可靠性及评价技术。GaN宽带隙半导体器件的可靠性及评价技术：重点研究宽带隙半导体材料、器件及相关的可靠性问题。半导体热测量，热失效分析和热设计：主要研究各种功率半导体器件、集成电路和光电子器件，各种热测量技术（nm级区域），热失效分析及热设计，本研究室在这一领域处于国际前沿地位的研究工作。
现代集成模块与系统集成技术
本方向包含两方面研究内容。其一是研究以IGBT（绝缘栅双极晶体管）和MCM（多芯片组件）为代表的现代集成模块及组件：模块和组件工作原理、设计及制作方法，封装热应力设计，应用与可靠性，系统测试方法和模拟设计；其二是研究半定制ASIC设计和现代系统集成技术。
导师介绍
沈光地
男，北京大学物理系毕业，中科院半导体所硕士，瑞典博士。我国著名的半导体和光电子学专家，北京市有突出贡献科技专家。现任我校固态电子学研究所所长，电子信息与控制工程学院学术委员会主任，北京光电子技术实验室主任，兼任中国物理学会理事，中国电子学会光电子专业委员，国家信息产业部科技经济专家委员会专家，信息产业部专家委员会委员，多所大学、研究所和学术刊物的兼职教授和编委，多年来在国内外主持过多项重要科学研究课题。
主要研究方向为新型高效半导体激光器、发光和红外光电子学，异质结构器件、电路与超高速微电子学，光通信、移动通信和高速信息处理、电路和系统工程技术，并在上述前沿领域均提出了独创的物理思想和结构设计，在理论和实践上取得了多项国际先进水平成果。
本人在国内外从事科研教学三十多年，成果丰硕，论文（著作）120多篇，发明专利五
项，培养博士生、博士后20多名。目前主持近二十项国家级重要科研课题，经费和科研设备条件良好，与国内外有广泛的学术和人员的交流与合作。
亢宝位
教授,博士生导师, 北京市具有突出贡献的科学技术专家，享受国务院颁发的特殊津贴，为美国科学促进会特约国际会员，是国内该研究领域知名学者。获得过国家发明奖、省部级科技进步奖等共四项，专著和译著三部，担任过在尼什召开的20thIntern.Conf.OnMicroelectronics的Steering Committee委员。略转已收入美国出版的“Who’swhointhe world”,英国剑桥传记中心将略传收入其出版的名人传记并授予二十世纪成就奖。
李志国
教授，为我校半导体器件可靠性物理研究室主任，博士生导师，享受国务院颁发的特殊津贴，中国电子学会高级会员，可靠性分会委员，长期从事半导体器件（含IC）的研制及可靠性研究工作，在该领域有较深造诣，取得了一批具有国际水平的理论和成果，完成了多项国家、电子部和北京市重点攻关课题，曾获省、部级科技成果奖四项，发表论文数十篇。
陈建新
男，教授。1979年毕业于中国科技大学物理系半导体专业，并留校工作。1980年修完本专业研究生课程。1989年调到北京工业大学电子工程系电子技术专业，1994年任电子工程系系主任。现任电子信息与控制工程学院院长。主要从事微电子技术的教学与科研工作，先后两次到西德马普学会固态所和瑞典林雪平大学从事科研工作。多年来负责和承接过包括“863”计划，国家自然科学基金等多项科研课题，获第一届全国科技大会重大科技成果奖一项，安徽省科技进步三等奖和北京市科技二等奖各一项，在国内外学术刊物上发表论文60余篇。
吴武臣
教授，电子科学与技术（微电子工程）系主任，中国电子学会高级会员，北京电力电子学会理事。81年研究生毕业于北京工业大学电子工程系，获工学硕士学位。后留校从事教学科研工作，作为课题负责人或主要成员曾承担国防科工委、电子部项目10多项并获电子部科技进步一等奖一项及其它奖数项。88年至89年在瑞士苏黎世工业大学作访问学者从事砷化镓微波器件研究工作。1992年至1995年作为客座教授在苏黎世工业大学从事现代功率集成模块研究工作，所得研究成果部分属当时国际先进水平并多次应邀在瑞士、德国、法国和意大利等国作研究结果报告。近年来从事集成模块和系统集成技术方面的研究工作并承担国家自然科学基金、北京市自然科学基金以及北京市教委科研项目多项。发表研究论文数十篇及专著一部。
张万荣
男，工学博士，教授。97年入选北京市科技新星计划，98年成为中国电子学会高级会员、美国AAAS（美国科学发展促进会）会员，99年入选北京市优秀跨世纪人才工程。先后承担、参加完成了国家“七五”、“八五”攻关项目，国家自然科学基金，北京市自然科学基金，国防科工委等课题十几项，西安交通大学科技成果二等奖。目前主要研究方向为高速微电子器件及其微波集成电路（MMIC）的设计、模拟、研制和可靠性。再上述领域，已在国内外学术刊物和国内外学术会议发表论文56篇，其中第一作者29篇，目前已被国际四大检索系统的SCI收录3篇，EI收录13篇，ISTP收录6篇。被英国《科学文摘》INSPEC收录13篇，美国CA收录12篇。
毕业去向
毕业生主要去向为：集成电路制造企业、集成电路设计公司、应用集成电路的整机单位、科研院所、高等院校等。
专业介绍
微电子学与固体电子学学科是天津市“十一五”重点建设学科专业，得到财政部与地方共建项目的支持。经过多年学科建设，形成了上述3个相对稳定的研究方向。以本学科为依托建有天津市“薄膜电子与通信器件”重点实验室。本学科还拥有从事IC设计、器件集成工艺和器件测试研究的专业实验室。
半导体材料与器件研究方向主要研究声表面波材料及器件和新型阻变存储器。声表面波器件相关方向包括器件用压电薄膜、宽禁带半导体～金刚石、ZnO、AlN、c–BN等薄膜材料制备、测试，薄膜声表面波器件和薄膜传感器件（应用于微流体探测和微生化分析），以及新型半导体薄膜电极的研制、体声波器件等研究。新型阻变存储器主要研究器件结构的设计及工艺实现。
器件互连集成技术研究方向主要研究集成电路器件互连集成技术，包括高性能互连材料的研究、器件互连电特性分析、超大规模集成电路互连制造平坦化技术等。
集成电路设计研究方向在研究、掌握国际先进EDA技术的基础上，结合电子系统高性能、低功耗、小型化、智能化的需要，开展专用集成电路设计、集成电路设计方法学研究，为通信系统芯片设计提供技术支持。侧重于数模混合电路、高频集成电路设计和通信领域IP核设计。
开设课程
第一外国语、科学社会主义理论与实践、自然辩证法、应用数学基础、计算机应用基础、数理方程、数值分析、半导体器件物理、超大规模集成电路工艺技术、薄膜电子学、微机械系统MEMS、微电子封装技术、集成电路设计方法学、FPGA与DSP、集成电路原理与设计、集成电路EDA技术、CMOS集成电路分析与设计、数字电路设计、VLSI可测性设计等。
本专业学制为2.5年，授工学学位。
复旦大学专业
研究方向
①系统集成芯片设计方法学研究和应用；
②集成电路计算机辅助设计；
③半导体工艺/微电子薄膜及其在固态器件中的应用；
④微电子机械和集成传感器研究。
项目和成果
上海复旦微电子股份有限公司和上海华虹集成电路有限公司，产生明显的经济和社会效益。出版学术专著8部，其中“MicroMechanicalTransducers（ElsevierScience出版社）”和“Nonequilibriumnondissipativethermodynamics”
（Springer出版社）具有较大国际影响。
专业课程
VLSI集成技术原理，集成电路设计方法，半导体器件物理，模拟集成电路和系统设计，现代集成电路分析方法，半导体工艺技术，半导体工艺和器件的计算机模拟，微电子材料与工艺，工程数学等。
天津理工大学
微电子学与固体电子学专业硕士研究生培养方案
MicroelectronicsandSolid-electronics
(专业代码：080903授工学学位)
培养目标
1.掌握微电子学与固态电子学方面坚实的理论基础和系统的专业知识，熟练掌握一门外国语，能进行专业阅读和科技写作。
2.培养严谨求实的科学态度和作风，具有创新求实精神和良好的科研道德，具备独立从事本学科的科学研究能力。
3.能熟练运用计算机和信息化技术，解决本学科领域的问题并有新的见解。
4.能胜任本专业或相邻专业科研机构、生产单位和高等院校的研究开发、工程技术、教学或管理工作。
研究方向
1.半导体薄膜材料与器件在研究、掌握宽禁带半导体～金刚石、ZnO、AlN、c–BN等薄膜材料制备、测试基础上，开展薄膜半导体器件的研制，主要是薄膜声表面波器件和薄膜传感器件（应用于微流体探测和微生化分析），以及新型半导体薄膜电极的研制。
2.集成电路设计在研究、掌握国际先进EDA技术的基础上，结合电子系统高性能、低功耗、小型化、智能化的需要，开展专用集成电路设计，同时开展集成电路设计方法学研究，为通信系统芯片设计提供技术支持。侧重于数模混合电路、高频集成电路设计和通信领域IP核设计。
年限与学分
全日制攻读硕士学位的学习年限为2.5年，鼓励优秀学生提前答辩。总学分要求≥43学分，其中修课学分数要求≥28学分，研究环节要求≥15学分，具体学分分配如下：
毕业论文标准
复旦大学研究生申请毕业论文答辩的标准：
1、硕士学位申请者应以第一作者（特殊情况除外）至少发表1篇限定B类（或以上）期刊论文。
2、博士学位申请者应以第一作者（特殊情况除外）至少发表1篇限定英文SCIE（或以上）或2篇限定A类（或以上）期刊论文。
3、限定B类期刊、限定A类期刊、限定英文SCI期刊的范围界定说明：
i. 限定B类期刊：要求此期刊必须同时列入《复旦大学学位与研究生教育国内期刊指导目录》（复旦大学研究生院二〇〇四年八月）中B类目录和《国家重点实验室论文期刊目录》
ii.限定A类期刊：要求此期刊必须同时列入《复旦大学学位与研究生教育国内期刊指导目录》（复旦大学研究生院二〇〇四年八月）中A类目录和《国家重点实验室论文期刊目录》
iii.限定英文SCIE期刊：要求此期刊必须列入《复旦大学SCIE论文分区期刊目录》中工程技术、物理、化学、数学这四个分区。
iv.如遇特殊情况，未被列入以上三种范围的期刊性质界定权归院务委员会所有。
4、关于非第一作者的特殊情况，具体解释同《复旦大学学位与研究生教育国内期刊指导目录》（复旦大学研究生院二〇〇四年八月）第Ⅱ页第二小节说明。
5、鼓励在各种顶尖国际会议上发表论文，本院（系）将给予一定的奖励
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