施敏

微电子专家、美国工程院院士

施敏（1936年3月21日-2023年11月6日），出生于中国南京，微电子科学技术、半导体器件物理专家，台湾中央研究院院士、美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士，生前系台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授。

人物生平

1936年3月21日，施敏出生于中国江苏省南京市，之后随家人前往台湾，父亲施家福在台湾省立台北工业专科学校（现台北科技大学）矿冶工程科任教。

1957年，毕业于台湾大学电机系，之后赴美留学。

1960年，获得华盛顿大学电机系硕士学位。

1963年，获得斯坦福大学电机系博士学位，博士毕业后，在斯坦福大学教授John Moll推荐下进入贝尔实验室工作，在此工作直到1989年退休。

1966年夏，施敏在台湾学界的邀请下回到台湾讲课，在台湾清华大学暑期举办了两个月的讲座。

1968年，选择留职停薪，把贝尔实验室的工作停摆了下来，回到台湾于台湾交通大学担任董浩云讲座教授一年，在电子研究所开设《半导体元件物理》《固态电子元件实验》两门课程。

1969年初，以论文《金属半导体薄膜结构之特性》获得中山学术著作奖。同年7月参与创办台湾第一家半导体公司环宇电子股份有限公司，担任技术顾问，而任职的工程人员包括宏碁集团创始人施振荣。

1989年，自贝尔实验室退休。

1990年，开始于台湾交通大学电子工程系任教，担任电子与资讯研究中心主任。

1991年，获得电气和电子工程师协会电子器件Ebers奖。

1994年，当选为台湾中央研究院院士（数理组）。

1995年，当选为美国国家工程院院士。

1998年，当选为中国工程院外籍院士。

1998年—2004年，担任台湾奈米元件实验室主任。

2004年，担任台湾奈米元件实验室资深顾问。

2023年11月6日，施敏去世，享年87岁。

主要成就

科研成就

1967年，施敏与韩裔美国人姜大元（Dawon Kahng）休息吃甜点时，用了一层又一层的涂酱，触动施敏与他二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）中间加一层金属层，结果发明了非挥发性记忆体（Flash），5月两人在《贝尔系统科技期刊》（The Bell System Technical Journal）上发表第一篇关于非挥发性内存的论文“浮闸非挥发性半导体内存细胞元件”，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术，随后由贝尔实验室取得专利。

1970年代，时任台湾经济部长孙运璿邀请施敏担任“经济部发展积体电路计画工作小组”成员之一，施敏所提出的最关键建言，就是力荐孙运璿要推动半导体业。

20世纪80年代初，施敏首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标。

人才培养

1969年，施敏编著的《半导体元件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）第一版出版，之后被翻译成六国文字，被广泛用作教科书与参考书。

1968年，台湾设立工程博士班，施敏担任首位工程博士候选人张俊彦的论文导师，1970年张俊彦以《金属半导体接口载子传导》为论文题目，通过口试成为台湾第一位工程博士。他指导的学生卢超群1999年当选为美国国家工程学院院士。

2003年以来，施敏在中国内地高校，包括西安交通大学、北京交通大学、东北大学、吉林大学、山东大学、苏州大学和安徽大学，开设“半导体物理和设备”这门课程，该课程主要是为了培养更多的中国学生参与到半导体设备领域。

2005年，在上海交通大学开设了一门INTENSIVE COURSE，为期三周共18节课。

荣誉表彰

社会任职

人物评价

施敏是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家，是非挥发MOS场效应记忆晶体管（NVSM）的发明者，在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献，在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。（2017 IEDM Plenary Awards评）

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