高密度存储器
一动态随机存取存储器(DRAM)集成电路,包含一确定在一半导体基板内的凹陷区域。此凹陷区域具有自一底面延伸的基本上垂直的边侧。一场效三极管经确定以邻接于该凹陷区域。一包含有下电容器板、电容介电体及上电容器板的电容器结构,确定在该凹陷区域中、该场效三极管上方,借此提供较大的电容器表面。
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